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Ge（313）表面能带结构分析

使用紧束缚最近邻近似下的ｓｐ＾３ｓ模型，利用形式散射理论的格林函数方法，首次分析了半导体Ｇｅ的（３１３）高指数表面能带结构。采用层轨道表象及表面投影......

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表面态态密度半导体锗表面能带结构 surface states density of states tightbinding scattering

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